Se informa que Samsung Electronics planea comenzar oficialmente la construcción de la segunda fundición de obleas (Planta Taylor II) en Taylor, Texas, Estados Unidos en noviembre de 2026. La capacidad planificada de la planta ha sido completamente reservada por los clientes, la mayoría de los cuales son pedidos de AMD, y Nvidia también tiene acuerdos de capacidad relacionados. Los funcionarios de Samsung dijeron que no podían confirmar los detalles específicos relacionados con el cliente. La planta Taylor II cubre un área de unos 250.000 metros cuadrados, que es aproximadamente 1,5 veces el tamaño de la planta Taylor I, y utilizará un proceso de 2 nanómetros. Según el plan actual, se espera que la línea de producción comience a pasar a equipos en febrero de 2029 y se produzca formalmente en masa en 2030. A diferencia de la fábrica de Taylor, que lleva a cabo principalmente pedidos de fundición de lógica avanzada, como los chips de IA de Tesla, la segunda fábrica estará orientada a servir a la cadena de la industria de potencia informática de IA y se especializará en producir el troquel base requerido para la memoria de gran ancho de banda (HBM). (Sina Finance)
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