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Quellen sagen, dass Samsung beabsichtigt, Taylor Plant 2 zu bauen, um HBM-Basisstempel für AMD und Nvidia zu produzieren

Es wird berichtet, dass Samsung Electronics plant, im November 2026 offiziell mit dem Bau der zweiten Wafergießerei (Taylor II Plant) in Taylor, Texas, USA, zu beginnen. Die geplante Kapazität des Werks wurde von Kunden vollständig ausgebucht, von denen die meisten Aufträge von AMD sind, und Nvidia hat auch entsprechende Kapazitätsvereinbarungen getroffen. Samsung-Beamte sagten, es könne die spezifischen Details in Bezug auf den Kunden nicht bestätigen. Die Taylor II-Anlage erstreckt sich über eine Fläche von etwa 250.000 Quadratmetern, was etwa dem 1,5-fachen der Taylor I-Anlage entspricht, und wird ein 2-Nanometer-Verfahren verwenden. Nach dem aktuellen Plan wird erwartet, dass die Produktionslinie im Februar 2029 in die Ausrüstung einzieht und 2030 offiziell in Massenproduktion geht. Im Gegensatz zur Taylor-Fabrik, die hauptsächlich Aufträge für fortschrittliche Logikgießereien wie Tesla AI-Chips ausführt, wird die zweite Fabrik darauf ausgerichtet sein, die AI-Computing-Power-Industriekette zu bedienen und sich auf die Herstellung des für High-Bandwidth Memory (HBM) erforderlichen Basisbausteins zu spezialisieren. (Sina Finance)

——Read original (Source: 36氪快讯(RSSHub))

Zuletzt aktualisiert: 6. Nov. 2026

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